霍尔效应测试系统-英
产品简介 :
精密霍尔效应测量系统,广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究;可对多种重要物理参量如:电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析;可测试材料: 半导体材料:包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,砖石铁,氧体材料; 低阻材料:包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料 高阻材料:包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器。

技术参数:
电流源: 
测量范围: 1nA - 10 mA 
输出电压: +/- 10V (+/-20V) 
输出电阻: typical 1013 Ohms 
电流分辨率: 25 pA
 
电压测量:
测量范围: 10 mV - 10V(自动量程选择)
分辨率 : <500nV
输入电阻: > 1013 Ohms
 
磁场范围:0.45T~2T(牛津磁体);
 
电阻测量范围: 1x10-3 Ohm - 1x109 Ohm
电阻率测量范围: 1 x10-5 Ohm*cm - 1x107 Ohm*cm
载流子浓度范围: 107 cm-3 - 1021 cm-3
 
主要特点:
电阻率Rho测量;
霍尔系数RH测量;
V-I曲线测量;
VH电压测量;
载流子浓度测量;
载流子迁移率测量;
载流子形式测量(n or p);
磁电阻等;
 
独有的非线性电压补偿功能;
磁场大小可调;
自动磁场校准;
低温选件:77K;
Van der Pauw和桥式barshape测量;
Products

Material Property Metrology

Nanomaterials Production Equip

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